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BSO303SP H /MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P
BSO303SP H的规格信息
BSO303SP H的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:9.1 A

Rds On-漏源导通电阻:21 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:- 40 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:OptiMOS P

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:3.9 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:19 S

下降时间:33 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:42 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:BSO303SPHXUMA1 BSO33SPHXT SP000613848

单位重量:540 mg

供应商BSO303SP H
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BSO303SP H的全球分销商及价格
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BSO303SP HInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-KANAL2500+:¥3.63
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BSO303SP HInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P1:¥7.7631
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100:¥5.1302
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BSO303SP HInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-KANAL2500+:¥3.631+:¥7.13
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